芯心相印 英特尔与中国税务行业共成长

　　我今天给大家的演讲重要侧重两个方面的内容，首先是新一代英特尔技术平台的改革和创新，到底怎么帮助大家提高工作效率，改善自己IT的环境。另外一个方面就是，面对一些信息设备的问题和故障，英特尔的技术平台里会给大家一个什么样的解决方案。当然，在这之前，我还是要说下英特尔从以前到现在，在技术创新上所做的努力。

　　不断创新 保持优势

　　英特尔从1968年成立到现在，一直保持着技术创新的领袖地位。如从沙子到硅片、平台和解决方案；摩尔定律；硅和晶体管技术创新（从4位微处理器到64位、从单核到多核、从高性能到 高能效表现、从微米到纳米制程）等。 英特尔一直保持着强烈的竞争优势，在研发上每年投入60亿美元用于新技术研究，不断推出领先的处理器技术和架构；在制造工艺上始终保持领先其他厂商一年以上，而且预计在09年的时候推出32纳米产品；在产能方面也显示了足够的优势，其目前拥有14个晶圆厂，日产100万片以上的处理器；在生态系统上，与主流的软硬件厂商广泛合作，英特尔拥有数以千计的解决方案提供商。这些都是其核心竞争优势。

　　创新技术 致力金税三期

　　在金税三期的大背景下，英特尔依然不断创新技术，如虚拟化技术、45纳米处理器技术以及主动式管理技术，为金税三期提供高性能、低功耗的技术支撑。

　　英特尔致力于通过技术创新实现节能降耗和保护环境。英特尔最新的45纳米高-K金属栅极硅制程技术的处理器，采用全新晶体管技术，能够有效减少漏电量。这些处理器产品不仅增强了计算性能，有效减少了能源消耗，而且还在处理器的封装中弃用了危害环境的铅元素，并将采用无卤化材料。英特尔45纳米双核处理器，拥有4亿多个晶体管，而45纳米四核处理器的晶体管数量更多达8亿多个。英特尔45纳米技术使用了基于铪的高-k栅介质和金属栅极晶体管材料，一改使用了近40年的多晶硅栅极金属氧化物半导体（MOS）材料，在取得更高运算性能的同时，极大减少了漏电，从而功耗进一步下降，芯片散热问题也得到极大改善。英特尔的45纳米技术，通过革命性的技术创新实现了更高的能源效率比，必将引领整个IT产业进入一个高能效比的时代。